型号:MT8HTF6464AY-53EB8 | 类别:存储器 - 模块 | 制造商:Micron Technology Inc |
封装:240-DIMM | 描述:MODULE DDR2 512MB 240-DIMM |
详细参数
类别 | 存储器 - 模块 |
---|---|
描述 | MODULE DDR2 512MB 240-DIMM |
系列 | - |
制造商 | Micron Technology Inc |
存储器类型 | DDR2 SDRAM |
存储容量 | 512MB |
速度 | 533MT/s |
特点 | - |
封装/外壳 | 240-DIMM |
供应商
深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
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MT8HTF6464AY-53EB8相关型号
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1206(3216 公制)
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芯片电阻 - 表面安装
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0805(2012 公制)
RES 28.7 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
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2-SMD,无引线
SUPERHEAVY TIE HEAD 316SS
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芯片电阻 - 表面安装
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0201(0603 公制)
RES 10M OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- MSP430G2252IRSA16R
嵌入式 - 微控制器,
Texas Instruments
16-VQFN 裸露焊盘
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200-SODIMM
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芯片电阻 - 表面安装
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0805(2012 公制)
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0805(2012 公制)
RES 30.9 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- MSP430G2253IRHB32T
嵌入式 - 微控制器,
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32-VFQFN 裸露焊盘
IC MCU 16BIT 2KB FLASH 32QFN
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存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR2 512MB 200SODIMM
- MS3474L14-15SW
连接器,互连器件
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芯片电阻 - 表面安装
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径向
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- MCR10EZHF30R9
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0805(2012 公制)
RES 30.9 OHM 1/8W 1% 0805 SMD